計算機シミュレーションによる物性予測・新エレクトロニクス材料の創出（島田和宏教授）

　本研究では、第一原理計算に基づく計算機シミュレーションを用いて、ワイドギャップ半導体の物性予測と解析を行っています。GaN系窒化物はLED、レーザー、太陽電池、トランジスタなど幅広い応用が期待されます。中でも酸化ガリウムは高い性能指数と低オン抵抗を持つ有望なパワー半導体材料であり、火炎センサ用途にも適しています。一方で結晶構造や混晶系の性質には未解明な点が多く残っています。そこで実験データに依存せず電子状態や安定構造、欠陥特性まで理論的に評価し、新規電子材料設計の指針を与えることを目指しています。この研究は、高効率な電力制御デバイスや省エネルギー機器、高性能光デバイスの開発を加速し、エネルギー消費削減や安全監視技術の高度化に貢献します。

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